晶振的起振时间是多少？

回答：一般在10ms（毫秒）内。

组建一个完整的无源晶振振荡电路，需要考虑的主要组合参数有：封装尺寸、调整频差、温度频差、负载电容、外接电容、工作温度、激励功率及绝缘阻抗等。

在晶振电路中，最容易让初步涉及数字电路的电子工程师混淆的即是晶振的负载电容与外接电容。无源晶振的负载电容是晶振本身固有参数，选型确定后就无法改变了，常见如9PF、12PF、12.5PF、20PF等。而外接电容指的是无源晶振外部电路中接的电容，通过调节外接电容值的大小可以起到微调晶振实际输出频率的作用。电容的单位为PF。

晶振的起振时间与外接电容值的大小存在一定关系，原理是外接电容越大，相对耗损的电流就越多，即作用于晶振本身的激励功率变小，晶振的起振时间就会增加。举一个偏激的例子，若晶振外接电容应为20PF，我们却采用电容300PF，晶振可能就根本无法起振了，更不用提及晶振的起振时间长短的问题。

在一些数字电路设计中，电路板上电后系统需要首先去捕捉晶振的时钟信号以完成诊断指令。在这样的情况之下，就需要晶振的起振时间先于系统捕捉时钟信号之前，否则会导致开机系统运行失败。若无源晶振的实际应用在调试中仍无法满足系统要求，建议采用有源晶振方案。

拓展阅读：影响晶体谐振器启动时间的因素有哪些？

无源晶振（晶体谐振器）的启动时间是指晶振通电到进入稳定振荡状态所需的时间。这个时间通常由无源晶振的内部特性和外部电路决定。

Q值

品质因数Q值是衡量晶振性能的一个重要参数，为储存能量与损耗能量的比值。高Q值晶振通常启动时间较短，因为能量更快地在晶体中积累并维持振荡。

负载电容

负载电容是晶振两端接入的电容器值。负载电容越大，启动时间通常越长。较大的负载电容需要更多的时间来充电，从而延长了晶振达到稳定振荡状态的时间。

驱动功率

驱动功率是晶振工作时所施加的功率。驱动功率越高，启动时间通常越短。较高的驱动功率可以更快地累积能量，使晶振更快达到稳定的振荡状态。但是，需要注意的是，过高的驱动功率可能会损坏晶体。

老化

晶振老化通常会导致其起振时间延长。频率漂移、Q值降低和谐振阻抗增加是主要的原因。这些变化会使得电路需要更多的时间和能量来达到稳定的振荡状态。

电路设计

电路的增益、反馈路径的阻抗和其他元器件的选择等会影响启动时间。

拓展阅读：1ps（皮秒）等于多少（ns）纳秒？

答：1ps等于10^-3ns，即：0.003ns。

解释如下：

“s”是英文“second”的缩写，中文意思是“秒”。

1ps (皮秒) 1皮秒=0.000,000,000,001秒=10^_12秒。

1ms (毫秒) 1毫秒=0.001秒=10^_3秒 (millisecond)。

1μs (微秒) 1微秒=0.000,001=10^_6秒 (microsecond)。

1ns (纳秒) 1纳秒=0.000,000,001秒=10^_9秒 (nanosecond)。

1fs (飞秒) 1飞秒=0.000,000,000,000,001秒=10^_15秒。

时间单位的换算关系：

一年=12个月，一个月=30天，一天=24小时，1小时=60分钟，1分钟=60秒。

时钟各指针的角度关系：

1、普通钟表相当于圆，其时针或分针走一圈均相当于走过360°角。

2、钟表上的每一个大格对应的角度是：30°。

3、时针每走过1分钟对应的角度应为：0.5°