一般STM32的时钟源有两种主时钟方案，一个是依靠内部RC振荡器的HSI（内部高速时钟），另一个是HSE（外部高速时钟）。

内部高速时钟源HSI

HSI英文全称：HIGH-SPEED INTERNAL OSCILLATOR

一般情况下，内部HSI都会在ST出厂时已校准，但是精度不高，在0到70℃下误差范围可能达到-1.3%到2%，即便是在标准的25℃下，也有 -1.1%到1.8% 的误差（如下图）。

因此，对于高波特率的异步串口通讯，或者需要高精度定时的场合，用HSI就有隐患，甚至根本达不到设计要求。

外部高速时钟源（HSE）

HSE英文全称：HIGH-SPEED EXTERNAL OSCILLATOR

为了获取更高的时钟精度，我们就要用到由石英晶振提供的HSE作为主时钟源，这样就可以很容易达到±30ppm（工作温度区间：-40 °C to +85 °C）。

成产的耐高温无源贴片晶振SMD3225 8M ±10ppm 主要电气参数如下:

• Type类型：SMD3225无源贴片晶振
• Nominal Frequency 标称频率：8.000000MHz
• Load Capacitance/负载电容：8pF、10pF、12pF、15pF、18pF、20pF或定制
• Frequency Tolerance频率稳定度： (at 25°C) ±10ppm max;±30ppm（-40 °C to +85 °C）
• Frequency Stability：±80ppm max （-40 °C to +125 °C）
• Shunt Capacitance （C0）/静电容：3.0PF Max
• Drive Level （Typical）/激励功率：10µW typical
• Equivalent Series Resistance （ESR）等效电阻：200Ω Max
• Aging @25°C 1st year （Max）年老化：±3ppm/year

现在，我们需要把外接电容（C1、C2）与无源贴片晶振8MHz的负载电容CL进行匹配：

我们一般取C1 = C2，这两个电容和晶体Q构成三点式电容振荡器。以选择8MHz晶振负载电容CL=20PF为例：

在这里特别需要指出的是：CL=20pF是无源晶振负载电容值的单位，通常用于描述电容的容量大小。无源晶振，又被称之为晶体或晶体谐振器，需要匹配外部谐振电路才可以输出信号，自身无法振荡。在选择晶体的负载电容时，我们要权衡能量损耗和频率的稳定性。同一封装尺寸的晶体，负载越小，能耗越低。电容的大小影响无源晶振的起振时间、频率稳定度等。

PCB杂散电容CS一般可以估值4pF到6pF，

由于我们取了C1 = C2，公式就可以变为：C1 = C2 = 2*（CL – Cs）

代入公式：

若Cs =6Pf，则C1=28PF

若Cs =4Pf,则C1=32PF

因此，为了保险起见，理论上我们一般外接电容（C1=C2）取值在 27PF ~33PF之间。

最后需要指出的是，因PCB设计及复杂性差异，杂散电容CS也会存在差异，所以调整外接电容值的大小应该以晶振实际输出频率为准。