关于STM32 MCU晶体32.768KHz选型注意事项，整理资料如下：

Start-up启动

启动性能可以通过两种方式来考虑：首先，振荡器在环境条件下是否在应用中持续启动，其次，在上电时启动需要多长时间。影响启动的数据表参数包括：CL、ESR 和 C0。降低这些值中的任何一个都会提高增益裕量，从而改善晶体启动性能。

上图中显示了典型的Vdd从0V上升，以及振荡器闭环增益如何增加，直到达到单位增益，振荡器环路稳定，锁定谐振器频率。从0V到启动的稳定振荡时间显示为启动时间。

Cost成本

3.2 x 1.5 mm尺寸目前占有最大的市场比重，因此我们看到这种尺寸的价格非常具有竞争力。目前，晶体32.768KHz更小尺寸是2.0 x 1.2 mm。随着封装尺寸的进一步减小，成本也会增加。

Package Size封装尺寸

随着便携式数码产品的发展，各类电子应用日趋小型化。不同封装尺寸的晶体提供不同的电气参数，其中一个主要参数是ESR。ESR会随着晶体封装尺寸的减小而增加，这反过来又会影响晶体的gm_crit（gmcrit：注意:如果RExt值太小,晶振上可能会承担太多的功耗。如果RExt值太大,振荡器起振条件将得不到满足从而无法正常工作）。

Tolerance公差

大多数设计将寻找标准的± 20ppm 公差晶体，公差是指在温度为+25°C条件下测量时晶体工作时可达到的频率精度(ppm范围)。 在某些对时间有更精密要求的应用中，需要选择更严格的公差，如±10ppm或更高。

Drive Level激励功率

对晶体电路应用而言，激励功率是一个非常重要的参数。激励功率太低，晶体不会启动，激励功率太高，晶体可能损坏。

产32.768KHz无源贴片晶振SMD3215主要电气参数如下：

• Low Drive低电流驱动

对于标准驱动级别STM32处理器而言，为晶体提供的驱动增益裕量为5倍或更高，其目的是把晶体启动作为首要任务。选择较低的gm_crit将意味着通过晶体的驱动电流较低，因此会消耗更少的功率。

• High Drive高电流驱动

指在给晶体提供了更大的驱动电流条件之下，振荡器环路可以承受并正常工作。部分STM32 MCU具有高驱动可配置设置，建议使用CL=12.5pF的晶体。

需要提醒的是较低的CL值可提高频率牵引度。 这意味着电容器容差等设计差异可能导致晶振频率精度降低或不稳定性因素增加。反之，若无需考虑功耗问题，在实施MCU高驱动的情况下，建议选择CL =12.5pF。另外，建议外接电容：C1=C2=15~22PF。