（产直插封装有源晶振）

有源晶振直插封装规格型号及引脚说明如下：

在通常情况下，石英晶体振荡器（有源晶振）直插封装有两种型号可选：DIP8和DIP14。

DIP8：指半尺寸封装，又称正方形晶体振荡器。

DIP14：指全尺寸封装，又称长方形晶体振荡器。

需要指出的是，这里的“8”和“14”都是指晶体振荡器内部IC的脚位数，而晶体振荡器DIP8和DIP14本身均为4引脚。从频率精度及稳定性来看，DIP8和DIP14有源晶振分为常规晶体振荡器和温补晶体振荡器两类。温补晶体振荡器（TCXO）中又包含压控温补晶体振荡器（VC-TCXO）。

常规晶体振荡器分为PXO DIP8和PXO DIP14两类：

1、常规晶体振荡器PXO DIP8主要参数：

• 频率范围：1.000 MHz ~ 125.000 MHz
• 体积：12.7×12.7×5.4mm
• 工作电压：3.3V or 5V
• 调整频差：±10ppm ~ ±30ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70,-40~+85
• 输出方式：方波10 TTL or 15pF/30pF HCMOS
• 输出负载：15pF or 30pF
• 占空比：40/60 Standard
• 上升/下降时间：10nS max.
• 功耗：1 to 36MHz <20mA，36 to 70MHz <40mA，70 to 125MHz <60mA

2、常规晶体振荡器PXO DIP14主要参数：

• 频率范围：1.000 MHz ~ 180.000 MHz
• 体积：20.4×12.8×5.3mm
• 工作电压：3.3V or 5V
• 调整频差：±10ppm ~ ±30ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70,-40~+85
• 输出方式：方波10 TTL or HCMOS
• 输出负载：15pF or 30pF
• 占空比：40/60 Standard
• 上升/下降时间：10nS max
• 功耗：1 to 36MHz <20mA，36 to 70MHz <40mA，70 to 180MHz <60mA

温补晶体振荡器（TCXO）分为TCXO-DIP8-1、TCXO-DIP8-2、TCXO-DIP14-1、TCXO-DIP14-2和TCXO-DIP14-3四类（内含VC-TCXO压控温补晶体振荡器）：

1、温补晶体振荡器TCXO-DIP8-1主要参数：

• 频率范围：1.000MHz ~ 60.000MHz
• 体积：12.7×12.7×5.4mm
• 工作电压：3.3V,5V,12V
• 调整频差：±0.5ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70，-40~+85
• 输出方式：方波CMOS、正弦波SINEWAVE
• 输出负载：15pF

2、温补晶体振荡器TCXO-DIP8-2主要参数：

• 频率范围：32.768KHz ~ 200.000MHz
• 体积：12.7×12.7×5.4mm
• 工作电压：3.3V,5V,12V
• 调整频差：±0.5ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70,-40~+85
• 输出方式：方波CMOS，正弦波SINEWAVE
• 输出负载：15pF

3、温补晶体振荡器TCXO-DIP14-1主要参数:

• 频率范围：10KHz ~ 1000KHz
• 体积：20.4×12.8x8mm
• 工作电压：3.3V,5V
• 调整频差：±0.5 ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70，-40~+85
• 输出方式：方波CMOS，正弦波SINEWAVE
• 输出负载：15pF

4、温补晶体振荡器TCXO-DIP14-2主要参数：

• 频率范围：1.000MHz ~ 60.000MHz
• 体积：20.4×12.8x8mm
• 工作电压：3.3V,5V
• 调整频差：±0.5 ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70，-40~+85
• 输出方式：方波CMOS，正弦波SINEWAVE
• 输出负载：15pF

5、温补晶体振荡器TCXO-DIP14-2TCXO-DIP14-3主要参数：

• 频率范围：0.100MHz to 200.000MHz
• 体积：20.4×12.8x8mm
• 工作电压：3.3V,5V,12V
• 调整频差：±0.5ppm
• 工作温度（°C）：-20~+70，-40~+85
• 输出方式：方波CMOS，正弦波SINEWAVE
• 输出负载：15pF

拓展阅读：

直插封装石英晶体振荡器（有源晶振）是一个完整的振荡器，里面除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件。有源晶振不需要单片机内部振荡器，频率信号精度高且比较稳定，连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），省去了复杂的配置电路的过程。