晶振过驱的后果是什么？

答：晶振过驱将加速晶振接触电镀的消耗，因此引起频率上升，并最终导致晶振提前失效。

关于晶振电路中的电阻与电容

与晶振串联的电阻Rd（一般为几十Ω），常用来预防晶振过驱。

并联在晶振上的两颗电容（一般在12~33pF之间，具体请参考晶振本身负载电容及电路板杂散电容值）主要用于微调频率和波形，并影响其振荡幅度。

附：产无源晶振SMD2016规格参数如下：

激励功率（典型值）：10μw 

激励功率（最大值）：100μw