晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶诺威科技解释如下:

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振输出频率偏差过大

晶体振荡器是数字通信系统中一个极其重要的频率元件,它能够产生高纯度的正弦波作为载波方式。如果晶振频偏超差,则会导致锁相环PLL锁偏,频率出错,通信就会异常;晶振停振,设备通信信号就会中断。

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振负载电容过大

如果晶振负载电容过大,会造成晶振频率偏负向、起振困难或不起振等问题。

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振谐振电阻过大

晶振谐振电阻RR, 又被叫为晶振内阻或晶振电阻,是晶振本身的电阻值。RR值越大,起振需要的功耗就会越大。在激励功率(Drive Level)不变的情况之下,晶振内阻过大会造成晶振起振困难或无法起振。

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振DLD2值过大

DLD2指的是在不同激励功率下的负载谐振电阻的最大值与最小值的差值,该值越小越好。晶诺威科技建议提供的激励等级不可超过晶振额定激励功率最大值。

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振静电容C0过大

静电容C0指的是晶体两引脚之间的电容,是以石英晶体为介质,由两个金属电极形成的电容。与晶片电极面积(或晶体体积)大小和频率大小呈现为正比关系。静电容C0太高会产生较大的副波,影响晶振频率输出的稳定性。

晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些?晶振SPDB过大

晶振的SPDB指的是寄生,该值一般为小于-3,如果SPDB过大,晶振容易发生跳频现象。

晶诺威科技产SMD3225封装12MHz晶振主要电气参数测试数据如下:

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