（贴片式无源晶振SMD3225-4pad）

生产的贴片无源晶振8M常见负载电容CL为12PF和20PF,建议如下:

当晶振负载电容CL=12PF时，建议匹配电容在15-18PF之间。

当晶振负载电容CL=20PF时，建议匹配电容在27-33PF之间。

由以上可见，8MHz晶振负载电容（CL）不同，外接电容（CL1&CL2）的大小也不一样。建议晶振之间负载电容（CL）及/或外接电容（CL1 & CL2）均需等值替换，否则可能导致晶振频偏超差或不起振。在这里需要解释说明的是，8MHz晶振的负载电容（CL）选取由芯片手册决定，而外接电容（CL1 & CL2）则由晶振的负载电容（CL）与晶振所在电路板的杂散电容（Cs）决定，需要通过电容匹配公式计算得出。一般情况下，外接电容（CL1 & CL2）的大小与晶振的标称频率无关。

8MHz晶振的选取常见于高速时钟（HSE）之应用，石英晶振百万级（PPM）精度一般对此级别系统绰绰有余。

（产8MHz无源贴片晶振SMD3225规格参数）

8MHz无源晶振的典型应用电路Typical application with an 8 MHZ crystal ，如下图所示：

※ REXT(1) Value depends on the crystal characteristcs. 串联电阻REXT(1) 值的大小取决于晶体特性。如果晶振不存在过驱现象，建议串联电阻REXT取值为0或取消。另外，建议MHz晶振电路中的RF反馈电阻取值为1MΩ。

我们发现，8MHz最常见的应用现象是：不管晶振负载CL是多少，有工程师直接配上22PF的电容，貌似大部分情况之下系统也没有报错。尽管如此，我们还是建议应该根据8MHz晶振的负载电容及电路板实测的杂散电容（一般估算值3~5pF或4~6pF），选择与之最匹配的电容元件，使晶振处于最佳工作状态，即输出最精准的时钟信号。

（贴片式无源晶振49SMD-2pad）

8MHz晶振常见问题往往不是出在输出频率精度上，而是诸如电阻超差或DLD2不良造成的晶振起振困难或低温不起振等问题，此类问题属于晶振本身品质不良。造成该类问题的主要原因是8MHz晶振属于低频晶振，石英晶片较厚，在制造工艺上需要技术及生产工艺完全达标。