当前位置: 首页 > 技术支持 > 晶振知识 > 正文 晶振的负载电容越大驱动能力越强吗? 作者: 时间:2023年10月23日 浏览量:1259 (Electrical Specifications for SMD2016) 晶振的负载电容越大驱动能力越强吗? 答:是的,晶振的负载电容越大驱动能力越强。 解释如下: 晶振的负载电容越大,功耗越大,驱动能力也越强。反之,晶振的负载电容越小,功耗越小,驱动能力也越自然越弱,这也是低功耗电子产品经常选择小负载晶振的原因之一,如:选择SMD2016 32MHz 6pF ±10ppm,而不是SMD3225 32MHz 20pF ±10ppm。 标签:32MHz晶振, 晶振负载电容, 晶振驱动能力, 有源晶振输出负载, 有源晶振驱动能力 上一篇: 晶振温度测试:高低温测试及温度循环测试 下一篇: 声卡晶振频率是多少MHz? 推荐产品 2×6 KHz SMD8038 OCXO-9M