无源晶振怎么选型？介绍如下：

计算晶振兼容性

低频晶振选择：32.768KHz

Frequency=32.768KHz，CL=12.5pF， ESR=70kΩ，Frequency tolerance=±20ppm，C0=1pF。

• Frequency：指所选晶振的振荡频率
• Frequency tolerance：指的是晶振的频率精度（调整频差）
• CL：晶振的负载电容(load capacitance)
• ESR：等效串联电阻
• C0：晶振的寄生电容(shunt capacitance)

PS：若在数据手册中查不到晶振寄生电容值，那么该数值可忽略不记。

计算：

gmcrit = 4 *ESR (2πF)² * (C0 + CL)²

=4*70kΩ * (2pi*32.768kHz)^2 *(1pF+12.5pF)^2

= 2.16uA/V

以STM32F103VFT6单片机为例，查手册可知LSE的gm最小值为5uA/V，因此gmcrit最大值不超过1uA/V（5倍关系），则本数值（2.1632uA/V）不满足兼容性要求，即：可能发生芯片对晶振驱动失败问题，具体表现为为晶振不起振。

若选择型号CL=7PF, F=32.768KHz, Frequency tolerance=±20ppm，经计算gmcrit值0.76 uA/V（典型值）,按最大参数计算1.05 uA/V。该型号晶振基本可以满足芯片对它的驱动要求。

计算负载电容

由于芯片引脚电容为5pF，假设分布电容为1.5pF，则总寄生电容为5/2+1.5=4pF则CL1、CL2可选择(12.5-4)*2=17pF，可选择16pF作为初始值

计算Drive Level

晶振的DL为0.5uW，ESR为70kΩ

= 7.6uA

因此，Iq应不大于7.6uApp。STM32F103VFT6的LSE driving current为1.4uA。该晶振满足芯片驱动要求。

高频晶振选择：8.000MHz

• Frequency：8.000MHz
• Frequency tolerance=±20ppm
• CL：18PF
• ESR：40Ω
• DL：100μW Typical

计算晶振兼容性

Gmcrit = 0.39mA/V

STM32F103VFT6单片机HSE的gm为25mA/V，因此Gmcrit最大值不超过5mA/V。因此满足兼容性要求。

计算负载电容

由于芯片引脚电容为5pF，假设分布电容为1.5pF，则总寄生电容为5/2+1.5=4pF，则CL1、CL2可选择(18-4)*2=28pF。

计算Drive Level

= 7mA

因此，Iq应不大于7mApp。STM32F103VFT6的HSE driving current为1mA。因此，该型号晶振满足芯片驱动要求。

由以上可见，在无源晶振选型时，尤其是针对低功耗应用，其负载电容（CL）及等效串联电阻（ESR）是两个非常关键的参数。