晶振电气参数超差对振荡电路的影响有哪些？解释如下：

晶振输出频率偏差过大

晶体振荡器是数字通信系统中一个极其重要的频率元件，它能够产生高纯度的正弦波作为载波方式。如果晶振频偏超差，则会导致锁相环PLL锁偏，频率出错，通信就会异常；晶振停振，设备通信信号就会中断。

晶振负载电容过大

如果晶振负载电容过大，会造成晶振频率偏负向、起振困难或不起振等问题。

晶振谐振电阻过大

晶振谐振电阻RR, 又被叫为晶振内阻或晶振电阻，是晶振本身的电阻值。RR值越大，起振需要的功耗就会越大。在激励功率（Drive Level）不变的情况之下，晶振内阻过大会造成晶振起振困难或无法起振。

晶振DLD2值过大

DLD2指的是在不同激励功率下的负载谐振电阻的最大值与最小值的差值，该值越小越好。建议提供的激励等级不可超过晶振额定激励功率最大值。

晶振静电容C0过大

静电容C0指的是晶体两引脚之间的电容，是以石英晶体为介质，由两个金属电极形成的电容。与晶片电极面积(或晶体体积）大小和频率大小呈现为正比关系。静电容C0太高会产生较大的副波，影响晶振频率输出的稳定性。

晶振SPDB过大

晶振的SPDB指的是寄生，该值一般为小于-3，如果SPDB过大，晶振容易发生跳频现象。

产SMD3225封装12MHz晶振主要电气参数测试数据如下：